特許

J-GLOBAL ID：200903010973635400

半導体レーザ装置及びそれを用いた光伝送装置

発明者： 細見 和彦 ,  白井 正敬 ,  勝山 俊夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312055
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】Si基板に容易に形成可能な半導体レーザ及びそれを用いた光伝送装置を提供すること。【解決手段】半導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイド(β-FeSi2)によって形成し、クラッド層をSi系材料によって形成する。【効果】同一Si基板に半導体レーザと電気信号回路とを集積化してなる光伝送装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層を順次積層してなる構造を有し、当該構造を含んで共振器を形成する半導体レーザ装置において、前記活性層は、ベータ鉄シリサイドによって形成され、前記上部及び下部クラッド層は、シリコン系材料によって形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/32 ,  H01S 5/183

FI (2件)：

H01S 3/18 672 ,  H01S 3/18 652

Fターム (8件)：

5F073AA51 ,  5F073AA62 ,  5F073AB17 ,  5F073CA24 ,  5F073CB04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA14 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051076   出願人：キヤノン株式会社
• 垂直構造量子ウェル成分の電気的に制御可能なマトリクスを製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-156067   出願人：フランス・テレコム