特許

J-GLOBAL ID：200903011014777986

半導体装置の製造方法

発明者： 杉本 賢 ,  大倉 嘉之 ,  綿谷 宏文 ,  大和田 保 ,  福山 俊一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-344263
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150086
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】微細な配線構造を形成可能であると共に、製造コストの低い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線層11上の低誘電率材料からなる第1層間絶縁層13および第2層間絶縁層15のそれぞれを覆うSiO膜14,16を形成する。SiO膜14,16は、CVD法によりSiH4ガスとCO2ガスを用いて、ウェハを350°C〜500°Cに加熱して形成する。このようにして形成されたSiO膜14,16は、実質的に窒素を含まないため、シリコン窒化膜等の反射防止膜18を形成する際にアンモニアガスや窒素ガス等の透過を抑制し、第1層間絶縁層13および第2層間絶縁層15に窒素に由来する塩基性物質の吸蔵を抑制する。その結果、レジストポイゾニングを抑制できる。さらに、SiO膜14,16は原料がガスのみであるので液体原料を使用するTEOS膜よりもCVD装置の汎用性が高まり、製造コストを低減できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

垂直配線部を有する配線構造を備える半導体装置の製造方法であって、 配線層上に低誘電率材料からなる層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜上にSiH4ガスとCO2ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜を覆う化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、 前記化学増幅型レジスト膜に前記垂直配線部を形成する位置に第1の開口部を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L21/90 K ,  H01L21/90 A ,  H01L21/316 M

Fターム (47件)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK00 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR13 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX34 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多孔質低k誘電体膜を分離する構造および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-376123   出願人：アギアシステムズインコーポレーテッド

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-166897   出願人：富士通株式会社
• 特開昭57-192032