特許
J-GLOBAL ID：200903048541635368

半導体装置及びその製造方法

発明者：
各務 克巳

各務 克巳 について

, 
綿谷 宏文

綿谷 宏文 について

, 
池田 雅延

池田 雅延 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014841
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】層間絶縁膜にSiOC膜と、反射防止膜としてのSiN膜とからなる半導体装置において、SiOC膜上に反射防止膜であるシリコン窒化膜形成後に、化学増幅型レジスト膜を形成し、デュアルダマシン構造をパターニングする場合に、化学増幅型レジスト膜の溶解阻害現象を抑制する。【解決手段】コンタクトパターン141上に配線パターン211を形成し、配線パターン上にSiC膜172と、第1のSiOC膜162と、SiC膜173と、第2のSiOC膜163と、拡散防止膜としてのUSG膜252と、反射防止膜としてのシリコン窒化膜302とを形成した後に、化学増幅型レジスト膜を用いてデュアルダマシン構造を形成することにより、シリコン窒化膜の成膜中に発生するN2の、第2のSiOC膜中への拡散を防ぐことができ、化学増幅型レジスト膜の溶解阻害現象を抑制できる。【選択図】 図28
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された多層配線構造とよりなる半導体装置であって、 前記多層配線構造は、炭素を含むシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された、窒素を含まない絶縁膜と、 前記窒素を含まない絶縁膜上に形成された、窒素を含む絶縁膜とよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/768 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027
FI (3件)：
H01L21/90 M ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/30 574
Fターム (32件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ02 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F046PA04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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