半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186084
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】CVD法により成膜した金属膜を用いる配線において、信頼性の高い微細な多層配線の形成を容易にする。【構成】半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜上にバリアメタルを形成する工程と、前記バリアメタルを高真空中で熱処理する工程と、前記熱処理の工程後に前記熱処理の施されたバリアメタル上に化学的気相成長法により金属膜を堆積させる工程とを含む。更には、前記金属膜の堆積後に引き続いて高真空中での熱処理が施される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜上にバリアメタルを成膜する工程と、前記バリアメタルを高真空中で熱処理する工程と、前記熱処理の工程後に前記熱処理の施されたバリアメタル上に化学的気相成長法により金属膜を堆積させる工程とを含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-181919
特開平4-296020
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-070342 出願人：川崎製鉄株式会社

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