特許
J-GLOBAL ID：200903011038491960

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371122
公開番号（公開出願番号）：特開2006-178172
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 脂環基を有する特定の繰り返し単位を含有する樹脂を2種、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A1)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、(A2)一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  C08F 220/18 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  C08F220/18 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
Fターム (43件)：
2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA12P ,  4J100BA15Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC15P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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