特許

J-GLOBAL ID：200903011063262070

半導体装置の洗浄装置及び洗浄方法

発明者： 成田 賢治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279040
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098440
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】他の設備へのクロスコンタミネーションを抑制しつつ、半導体基板のエッジ部及びベベル部に付着した汚染及び異物等を効果的に除去し、それによって製品歩留りの向上を実現する。【解決手段】半導体装置を搭載した半導体基板10の両面のエッジ部及びベベル部が露出状態になるように半導体基板10の裏面を保持部材32によって保持すると共に、当該エッジ部及び当該ベベル部を、空隙を挟んで洗浄液反応促進部材31によって覆う。その後、半導体基板10を回転させると共に半導体基板10の表面上に薬液34を吐出して、当該薬液34を半導体基板10と洗浄液反応促進部材31との間に形成された空隙内に入り込ませ、半導体基板10の両面のエッジ部及びベベル部に付着した付着物を除去する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体装置を搭載した半導体基板の両面のエッジ部及びベベル部が露出状態になるように前記半導体基板の裏面を保持部材によって保持する工程(a)と、 前記半導体基板の両面のエッジ部及びベベル部を、空隙を挟んで洗浄液反応促進部材によって覆う工程(b)と、 前記工程(a)及び前記工程(b)の後、前記半導体基板を回転させると共に前記半導体基板の表面上に薬液を吐出して、当該薬液を前記半導体基板と前記洗浄液反応促進部材との間に形成された前記空隙内に入り込ませ、前記半導体基板の両面のエッジ部及びベベル部に付着した付着物を除去する工程(c)とを備えていることを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/304 645A ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 643D ,  H01L21/304 647Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311711   出願人：関西日本電気株式会社
• 半導体ウェハの洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-128117   出願人：三星電子株式会社