半導体ウェハの洗浄装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128117
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223664
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】ウェハのエッジ洗浄工程において、ボウルの内側の壁にぶつかり反動される汚染物質によりウェハ表面が汚染することを防止し安定して洗浄を行える半導体ウェハの洗浄装置を提供すること。【解決手段】ボウル10の内部に半導体のウェハ100を吸着、回転させる真空チャック50と、ウェハ100のエッジを洗浄するための洗浄ブラシ20と、この洗浄ブラシ20を水平に移動させるための移送装置40とを設け、ウェハ100のエッジ部に洗浄ブラシ20を移送装置40により移送させ接触させることにより、ウェハ100のエッジに塗布したフォトレジスト物質を除去するように形成する。

請求項（抜粋）：

ウェハのエッジに洗浄液を供給することによりウェハのエッジ部の汚染物質を除去するための本体と、前記本体内にウェハを保持及び回転するための保持部とを有する半導体ウェハの洗浄装置において、前記本体の内側に取り付けられ、前記エッジを囲む形状を有する胴体とこのエッジを囲む形状の側面に取り付けられた洗浄部材とを備えた前記ウェハのエッジを洗浄するエッジ洗浄手段と、前記エッジ洗浄手段の胴体内に洗浄液が流動し前記洗浄部材に供給する洗浄液供給手段と、前記エッジ洗浄手段の胴体が前記本体の内側側面から前記ウェハのエッジまでの間を移動可能にする移送手段とを備えたことを特徴とする半導体ウェハの洗浄装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/30 577 , H01L 21/304 341 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-217462 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
半導体装置の製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-330496 出願人：川崎製鉄株式会社
フオトレジスト除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302450 出願人：東京エレクトロン株式会社

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