特許
J-GLOBAL ID:200903011084771381
光導波路基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-193593
公開番号(公開出願番号):特開2001-021744
出願日: 1999年07月07日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【解決手段】 予めシリコン基板に所望の導波路デバイスのパターンに応じた凹状の溝を作製した後、熱酸化によってシリコン基板を酸化し、パターンの周囲に石英層を形成し、次いで、凹状の溝に周囲石英層よりも屈折率の大きい不純物をドープした石英ガラス層を埋め込み、シリコン基板表面を平坦に研磨した後に、平坦な表面に上記屈折率の大きい石英ガラス層よりも小さい屈折率を有するガラス層を形成して、凹状の溝に埋め込まれた屈折率の大きいガラス層に光を伝搬させるようにしたことを特徴とする埋め込み型の光導波路基板の製造方法。【効果】 本発明によれば、コアパターンの変形もなく、反りの小さい、低損失の光導波路基板を簡単かつ確実に製造できる。
請求項(抜粋):
予めシリコン基板に所望の導波路デバイスのパターンに応じた凹状の溝を作製した後、熱酸化によってシリコン基板を酸化し、パターンの周囲に石英層を形成し、次いで、凹状の溝に周囲石英層よりも屈折率の大きい不純物をドープした石英ガラス層を埋め込み、シリコン基板表面を平坦に研磨した後に、平坦な表面に上記屈折率の大きい石英ガラス層よりも小さい屈折率を有するガラス層を形成して、凹状の溝に埋め込まれた屈折率の大きいガラス層に光を伝搬させるようにしたことを特徴とする埋め込み型の光導波路基板の製造方法。
Fターム (9件):
2H047KA04
, 2H047MA05
, 2H047PA05
, 2H047PA14
, 2H047PA24
, 2H047QA04
, 2H047TA42
, 2H047TA43
, 2H047TA44
引用特許: