特許
J-GLOBAL ID：200903011087306825
ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-278627
公開番号（公開出願番号）：特開2008-094968
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】13族窒化物混晶半導体を含み、13族窒化物混晶半導体の混晶比を制御することができる発光効率が高く信頼性に優れたナノ結晶粒子蛍光体および分散性を高めた被覆ナノ結晶粒子蛍光体ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】13族窒化物半導体からなるコアと、コアを被覆し13族窒化物混晶半導体からなるシェル膜を含むシェル層とのコア/シェル構造であるナノ結晶粒子蛍光体ならびに、該ナノ結晶粒子蛍光体が修飾有機分子により結合および/もしくは被覆されてなる被覆ナノ結晶粒子蛍光体を提供する。また、13族窒化物半導体からなるコアと、窒素含有化合物と、13族元素含有化合物と修飾有機分子を含む混合溶液を加熱する被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
13族窒化物半導体からなるコアと、
前記コアを被覆し、13族窒化物混晶半導体からなるシェル膜を含むシェル層との、
コア/シェル構造であるナノ結晶粒子蛍光体。
IPC (4件)：
C09K 11/08
, C09K 11/62
, B82B 1/00
, B82B 3/00
C09K11/08 G
, C09K11/62
, C09K11/08 A
, B82B1/00
, B82B3/00
4H001CA02
, 4H001CC09
, 4H001CC13
, 4H001CF01
, 4H001XA07
, 4H001XA31
, 4H001XA49
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
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