特許

J-GLOBAL ID：200903050245413699

蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置。

発明者： 森岡 達也 ,  齊藤 肇 ,  種谷 元隆 ,  藤田 茂夫 ,  藤田 静雄 ,  川上 養一 ,  船戸 充 ,  原田 雅史
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  藤田 静雄 ,  川上 養一 ,  船戸 充 ,  原田 雅史
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-268203
公開番号（公開出願番号）：特開2006-083260
出願日： 2004年09月15日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】 励起光の吸収効率が高く輝度の高い蛍光体粒子および演色性に優れた蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置を提供する。【解決手段】 励起エネルギーEeを有する励起光11を受けて蛍光を発する蛍光体粒子100であって、バンドギャップエネルギーE1を有する半導体コア粒子101とバンドギャップエネルギーE2を有する半導体シェル層102とを含み、E1<E2≦Eeの関係を有し、半導体シェル層102で半導体コア粒子101を被覆することにより半導体コア粒子101中にE1とE2の間のエネルギーを有する離散的なエネルギー準位が形成され、エネルギー準位における基底準位111c,111v間のエネルギーEに基づく蛍光を発する蛍光体粒子100。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

励起エネルギーEeを有する励起光を受けて蛍光を発する蛍光体粒子であって、 バンドギャップエネルギーE1を有する半導体コア粒子と、前記半導体コア粒子を被覆するバンドギャップエネルギーE2を有する半導体シェル層を含み、 前記半導体コア粒子のE1と、前記半導体シェル層のE2と、前記励起光のEeとの関係が、E1<E2≦Eeであり、 前記半導体シェル層で前記半導体コア粒子を被覆することにより前記半導体コア粒子中にE1とE2との間のエネルギーを有する離散的なエネルギー準位が形成され、前記エネルギー準位における基底準位間のエネルギーEに基づく蛍光を発する蛍光体粒子。

IPC (9件)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/55 ,  C09K 11/56 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64 ,  F21V 3/04 ,  F21V 8/00 ,  F21V 9/16 ,  H01L 33/00

FI (10件)：

C09K11/08 G ,  C09K11/08 J ,  C09K11/55 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  F21V3/04 D ,  F21V8/00 601A ,  F21V9/16 ,  H01L33/00 C

Fターム (14件)：

4H001CA02 ,  4H001CA05 ,  4H001CC14 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  4H001XA49 ,  4H001XA64 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA40 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 表示装置および照明装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144168   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 発光性素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-173694   出願人：山本健二, 山口由岐夫, 積水化学工業株式会社
• 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-275135   出願人：シャープ株式会社
• 合金形態の半導体ナノ結晶、その製造方法及び有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-206818   出願人：三星電子株式会社
• 量子ドット白色及び着色発光ダイオード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-541740   出願人：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー, ヒューレットパッカードカンパニー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Synthesis of Luminescent Thin-Film CdSe/ZnSe Quantum Dot Composites Using CdSe Quantum Dots Passivat