特許

J-GLOBAL ID：200903011089389957

LiNbO3結晶薄膜成膜方法

発明者： 赤澤 方省 ,  嶋田 勝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-034347
公開番号（公開出願番号）：特開2006-219339
出願日： 2005年02月10日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】LiNbO3結晶の分極方向を容易に制御できるようにする。【解決手段】まず、サファイアA面基板の上にアモルファス状態のLiNbO3膜を成膜する(ステップS1)。LiNbO3膜の成膜には、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタ法を用いることができる。次に、成膜したLiNbO3膜を加熱して結晶化させ、a軸配向のLiNbO3結晶薄膜を形成する(ステップS2)。この際、320°C以上の温度で加熱することが好ましい。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

サファイアA面基板の上にアモルファス状態のLiNbO3膜を成膜する第1の工程と、 前記LiNbO3膜を加熱して結晶化させ、a軸配向のLiNbO3結晶薄膜を形成する第2の工程と を備えることを特徴とするLiNbO3結晶薄膜成膜方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C23C 14/34 ,  C30B 23/08 ,  G02F 1/29

FI (5件)：

C30B29/30 A ,  C23C14/34 N ,  C23C14/34 S ,  C30B23/08 P ,  G02F1/29

Fターム (23件)：

2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002DA04 ,  2K002FA07 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC32 ,  4G077DB01 ,  4G077DB20 ,  4G077ED06 ,  4G077FE11 ,  4G077FE19 ,  4G077HA01 ,  4K029AA07 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BB10 ,  4K029BC07 ,  4K029DC48 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜素子の製造方法、及び強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-168339   出願人：富士ゼロックス株式会社
• LiNbO3配向性薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-216546   出願人：日本電信電話株式会社