特許

J-GLOBAL ID：200903092094308370

強誘電体薄膜素子の製造方法、及び強誘電体薄膜素子

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-329722
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 組成が安定に制御され、表面が光学的に平滑であり、かつ、高い結晶性を有するエピタキシャル強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子、及びその製法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長を行うことによって、膜厚が1nmから40nmである強誘電体バッファ層を、その組成と異なる単結晶基板上に作製する工程を実施する。その後、前工程で形成された層上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長によって、膜厚が該強誘電体バッファ層の膜厚より厚く、かつ、10nm以上である強誘電体単層薄膜を形成する工程を一回以上実施する。こうして、該強誘電体バッファ層上に強誘電体薄膜層を作製し、強誘電体薄膜素子を製造する。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜素子の製造方法において、単結晶基板上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長を行うことによって、膜厚が1nmから40nmである強誘電体バッファ層をその組成と異なる単結晶基板上に作製する工程を実施し、更に、前工程で形成された層上への有機金属化合物の塗布と、その加熱とを利用した固相エピタキシャル成長によって、膜厚が該強誘電体バッファ層の膜厚より厚く、かつ、10nm以上である強誘電体単層薄膜を形成する工程を一回以上実施することによって、該強誘電体バッファ層上に強誘電体薄膜層を作製することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (7件)：

G02B 6/13 ,  C30B 5/00 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/30 ,  G02F 1/05 501 ,  G02F 1/35 505 ,  H01B 3/00

FI (8件)：

G02B 6/12 M ,  C30B 5/00 ,  C30B 29/22 Z ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  G02F 1/05 501 ,  G02F 1/35 505 ,  H01B 3/00 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-270397
  
• 特開平1-005999
  
• 単結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176012   出願人：イビデン株式会社
• 配向性多層強誘電体薄膜およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175015   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 配向性強誘電体薄膜素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170892   出願人：富士ゼロックス株式会社