特許

J-GLOBAL ID：200903023483332616

LiNbO3配向性薄膜形成方法

発明者： 赤澤 方省 ,  嶋田 勝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216546
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059341
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】高い配向性をもつLN結晶膜を石英基板などに形成することができるLiNbO3配向性薄膜形成方法を提供する。【解決手段】石英基板またはSiO2膜上にアモルファス状態のLiNbO3膜をスパッタ法により堆積する第1の工程と、第1の工程で堆積したLiNbO3膜を加熱して、C軸配向したLiNbO3結晶薄膜を形成する第2の工程とを含む。また、第2の工程では、第1の工程で堆積したLiNbO3膜を500°C以上の温度で加熱する。このLiNbO3配向性薄膜形成方法によって、石英基板上またはSiO2上に、図2に示すような<001>方向へ高配向したLiNbO3結晶薄膜を得ることが可能になった。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

石英基板またはSiO2膜上にアモルファス状態のLiNbO3膜をスパッタ法により堆積する第1の工程と、 第1の工程で堆積したLiNbO3膜を加熱して、C軸配向したLiNbO3結晶薄膜を形成する第2の工程とを含むことを特徴とするLiNbO3配向性薄膜形成方法。

IPC (1件)：

C30B29/30

FI (1件)：

C30B29/30 A

Fターム (9件)：

4G077AA03 ,  4G077BC32 ,  4G077DA11 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077ED06 ,  4G077FE02 ,  4G077FE19 ,  4G077SB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化物結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-089667   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭59-054687
  
• エピタキシヤル薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318672   出願人：株式会社日本製鋼所