特許
J-GLOBAL ID：200903011115245942
太陽電池素子用基板、太陽電池素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101109
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】溶融・再結晶化をシリコン材料の含浸が少なくかつ濡れ広がりが容易な太陽電池素子用基板の提供、およびこの基板を使用してシリコン薄膜内に太陽光を効果的に閉じ込められる素子構造を持つ太陽電池素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】耐熱性基材と、この耐熱性基材上に形成され光電変換によって起電力を発生する半導体層が微粒子と粗粒子の2層構造である。
請求項（抜粋）：
耐熱性基材と、この耐熱性基材上に形成され光電変換によって起電力を発生する半導体層を有する太陽電池素子において、前記半導体層が前記基板に近い方から微粒子の凝集体層と粗粒子の凝集体層とが順次積層されることを特徴とする太陽電池素子。
Fターム (8件)：
5F051AA04
, 5F051DA03
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA04
, 5F051GA06
, 5F051GA11
, 5F051GA20
