特許
J-GLOBAL ID：200903011119400985

処理装置

発明者：
松山 雄二

松山 雄二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225239
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040731
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 熱による処理液の膜厚変化を抑制可能な処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを搬送する第1搬送装置20,第2搬送装置30,第3搬送装置40を夫々並列に配置する。第1搬送装置20を挟んで第1熱処理装置群41及び第2熱処理装置群42を対向配置させる。第3搬送装置40を挟んで第3熱処理装置群43及び第4熱処理装置群44を対向配置させる。第2搬送装置30を挟んで現像処理装置群90及びレジスト塗布装置群100を対向配置させる。第1搬送装置20及び第2搬送装置30の間に第1受け渡し台110を備え,第2搬送装置30及び第3搬送装置40の間に第2受け渡し台120を備える。第2搬送装置30は現像処理装置群90と,レジスト塗布装置群100と,各受け渡し台110,120との間でのみウェハWを搬送する。
請求項（抜粋）：
容器内において基板に処理液を供給して処理する液処理装置と,容器内において基板を所定温度で熱処理する熱処理装置と,基板を保持部材で保持した状態で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であって,前記搬送装置は,受け渡し台と前記熱処理装置との間でのみ基板を搬送する第1搬送装置と,前記受け渡し台と前記液処理装置との間でのみ基板を搬送する第2搬送装置とからなり,前記受け渡し台は,前記第1搬送装置と前記第2搬送装置との間に配置されたことを特徴とする,処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 J ,  H01L 21/30 503 D
Fターム (16件)：
5F031BB01 ,  5F031CC01 ,  5F031CC04 ,  5F031CC12 ,  5F031CC43 ,  5F031EE01 ,  5F031KK03 ,  5F031KK04 ,  5F031MM01 ,  5F046HA02 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046KA01 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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