半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233553
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】素子の信頼性を低下させることなく、簡便な方法によって、レーザ共振器の端面の近傍に良質の窓構造を形成することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザのレーザ光を射出する端面11に、電子線蒸着法によりZnS/Al2 O3 膜12を形成する。このZnS/Al2 O3 膜12の形成後、または形成と同時に、端面11を100〜800°Cの温度に加熱し、ZnS膜12a中のZnを端面11の近傍に局所的に拡散させて活性層4中の量子井戸構造を局所的に破壊し、窓領域4aを形成する。

請求項（抜粋）：

窓構造を有する半導体レーザにおいて、レーザ共振器の少なくとも一方の端面に、構成元素としてZnを含み、Oを含まない材料からなる膜が設けられ、この膜から上記端面にZnが拡散されていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭59-039082
特開平1-166588
端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233742 出願人：シャープ株式会社

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