特許
J-GLOBAL ID：200903011174959177
太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219505
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031827
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 直列抵抗が小さく、変換効率を向上させた化合物半導体太陽電池を提供する。【解決手段】 n型InGaPのベース層上にp型InGaPのエミッタ層を積層し、さらにその上にp型化合物半導体の窓層を積層した構成を備える太陽電池において、窓層上に、低抵抗のp型化合物半導体の透明導電層をさらに備えた構成とする。前記透明導電層としては、p型のAlGaAsであることが望ましく、また、前記透明導電層の組成をAlxGa1-xAsと表したときに、0.45≦x≦0.9であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
n型InGaPのベース層上にp型InGaPのエミッタ層を積層し、さらにその上にp型化合物半導体の窓層を積層した構成を具備する太陽電池において、前記窓層上に、低抵抗のp型化合物半導体の透明導電層を備えたことを特徴とする太陽電池。
Fターム (5件)：
5F051AA08
, 5F051CB08
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA06
審査官引用 (5件)
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-028283
出願人：昭和電工株式会社
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特開昭58-189682
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光起電セル用の2層パッシベーション構造
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-118108
出願人：ヒューズ・エレクトロニクス・コーポレーション
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引用文献：
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