半導体基板及びその製造方法、並びに、この半導体基板を用いた太陽電池及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127326
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 (100)面から傾斜した表面を有するIV族半導体ベース基板上に形成されるIII-V族半導体層の傾斜の主方向が<011>方向となるようにIII-V族半導体層を形成する。【解決手段】 IV族半導体ベース基板を構成する元素を含むガスを供給しながら、IV族半導体ベース基板表面の酸化膜を除去し、ヘテロエピタキシャル成長の際に、V族原料ガス(AsH<SB>3</SB>)をIII族原料ガス((CH<SB>3</SB>)<SB>3</SB>Ga)より僅かに遅らせて導入するか、若しくは、V族原料ガス(AsH<SB>3</SB>)及びIII族原料ガス((CH<SB>3</SB>)<SB>3</SB>Ga)をそれぞれ同時に導入する。

請求項（抜粋）：

単結晶であるIV族半導体からなるベース基板と、該IV族半導体ベース基板の主表面上にヘテロエピタキシャル成長により形成されたIII-V族化合物半導体層とを具える半導体基板において、前記ベース基板は、その主表面が(100)面から<010>方向以外の方向に傾斜するようにIV族半導体インゴットから切り出されたオフ基板であり、前記III-V族化合物半導体層は表面欠陥密度の低い膜質を有し、且つ、前記III-V族化合物半導体層の主表面の(100)面からの傾斜の主方向が、該III-V族化合物半導体層の<011>方向であることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , C30B 29/42 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (4件)：

C30B 29/42 , H01L 21/205 , H01L 21/324 C , H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-095635 出願人：富士通株式会社
特開昭63-038267
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302297 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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