半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028283
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222761
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】低電圧で作動し、しかも輝度の高いLEDを提供する。【構成】 III-V 族化合物半導体基板7上に多層反射膜6を配置し、さらにその上に III-V族化合物半導体のpn接合を含む発光構造を載置し、発光構造の一部にオーミック電極を設置する。または多層反射膜6と発光構造部の間に透明電流拡散層2を配置し、ここに電極の一方を配置する。多層反射膜6に電流を流さずに発光部に電流を印加する。

請求項（抜粋）：

III-V 族化合物半導体基板上に形成された複数のエピタキシャル成長層からなる半導体発光装置において、 III-V族化合物半導体基板上に互いにバンドギャップエネルギーの異なる III-V族化合物半導体の多層積層体からなる反射層を具備し、該反射層の上に第1導電型半導体と第2導電型半導体からなる発光構造部を有し、該第1導電型半導体と第2導電型半導体の一部にそれぞれ第1電極と第2電極とを設けたことを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318393 出願人：シャープ株式会社
特開平4-171776
特開平3-046384

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