特許
J-GLOBAL ID：200903011175503860

薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器

発明者：
御子柴 俊明

御子柴 俊明 について

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長谷井 宏宣

長谷井 宏宣 について

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平井 利充

平井 利充 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151286
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356321
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】バンクから溢れることなく均一な膜厚で厚膜化も可能な配線を形成する。【解決手段】バンクB、B間に形成された溝31内に機能液の液滴を吐出して薄膜パターンを形成する。溝31内に間隔をあけて液滴32aを複数吐出する第1吐出工程と、第1吐出工程とは吐出位置をずらせて溝31内に液滴32bを吐出する第2吐出工程とを有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
バンク間に形成された溝内に機能液の液滴を吐出して薄膜パターンを形成する方法であって、 前記溝内に間隔をあけて前記液滴を複数吐出する第1吐出工程と、 前記第1吐出工程とは吐出位置をずらせて前記溝内に前記液滴を吐出する第2吐出工程とを有することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
IPC (6件)：
H01L21/288 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05K3/10
FI (7件)：
H01L21/288 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05K3/10 D ,  H05K3/10 E ,  H01L21/30 502D ,  H01L21/88 B
Fターム (55件)：
2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092MA12 ,  2H092NA27 ,  3K007AB05 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD51 ,  4M104HH14 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA22 ,  5E343AA37 ,  5E343BB01 ,  5E343BB15 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB52 ,  5E343BB62 ,  5E343BB72 ,  5E343BB78 ,  5E343CC22 ,  5E343DD16 ,  5E343DD17 ,  5E343DD18 ,  5E343EE32 ,  5E343EE36 ,  5E343EE40 ,  5E343EE42 ,  5E343ER33 ,  5E343ER43 ,  5E343ER44 ,  5E343FF05 ,  5E343GG06 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F046AA28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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