特許
J-GLOBAL ID：200903060049990799

単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置

発明者：
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344925
公開番号（公開出願番号）：特開2003-149831
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：
【要約】【課題】 ガラスマスクを使用せず、しかもパターン形成精度や位置の再現性の優れた撥液性単分子層のパターン形成方法、及びその単分子層パターンを用いて形成する半導体、金属などのパターン、更にそれを用いて製造される電気光学装置、及びこの電気光学装置を備える電子機器を提供すること。【解決手段】 基板上に、加水分解性基と、撥液性末端を有する炭素含有基とを有するシラン化合物がこの基板に結合した単分子層を形成し、アルカリ性の液体をインクジェット法で基板上にパターン塗布し、この塗布した部分において前記単分子層を上記アルカリ性液体の加水分解作用により除去し、撥液性の単分子層と、パターン化された親液性の基板表面を形成する。更に、このパターン化された基板を用いて電気光学装置、及びこの電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
請求項（抜粋）：
基板上に単分子層を形成し、アルカリ性の液体をインクジェット法でこの基板上にパターン塗布し、前記アルカリ性液体の分解作用により前記単分子層を除去し、前記基板上に撥液性の単分子層とパターン化された親液性の基板表面を形成することを特徴とする撥液性単分子層のパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/36 ,  B41J 2/01 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G03F 7/36 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 627 C ,  B41J 3/04 101 Z
Fターム (60件)：
2C056FB01 ,  2C056FB02 ,  2C056FB04 ,  2C056FB05 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA60 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD07 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104EE18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG41 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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