特許

J-GLOBAL ID：200903011186720757

窒化物半導体発光素子

発明者： 宋 根 萬 ,  李 東 律 ,  金 善 雲 ,  金 制 遠
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-226716
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059913
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】動作電圧が低く静電気耐性が高い高出力高効率の窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたn側コンタクト層と、上記n側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたp型クラッド層を含む。上記電流拡散層は、InxGa(1-x)N(0<x<1)からなる第1窒化物半導体層とInyGa(1-y)N(0≦y<1、y<x)からなる第2窒化物半導体層が相互交代で積層され形成された全体3層以上の多層薄膜層からなっている。また、上記多層薄膜層のうち一部連続して積層された窒化物半導体層はn型ドーパントにドーピングされており、上記多層薄膜層のうち他の一部はドーピングされていないアンドープ窒化物半導体からなっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn側コンタクト層と、 上記n側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、 上記電流拡散層上に形成された活性層と、 上記活性層上に形成されたp型クラッド層を含み、 上記電流拡散層は、InxGa(1-x)N(0<x<1)からなる第1窒化物半導体層とInyGa(1-y)N(0≦y<1、y<x)からなる第2窒化物半導体層が相互交代で積層され形成された全体3層以上の多層薄膜層からなり、 上記多層薄膜層のうち一部連続して積層された窒化物半導体層はn型ドーパントにドーピングされ、上記多層薄膜層のうち他の一部はドーピングされていないアンドープ窒化物半導体からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (8件)：

5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AR61

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公平10-135514号公報
  
• 米国特許第6,593,597号
  

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-024863   出願人：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-284093   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192625   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-233009   出願人：株式会社東芝