特許
J-GLOBAL ID：200903026852744302
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192625
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040893
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 格子整合しない基板上にも高品質な高Al組成のAlGaN層を低歪みで形成することができ、短波長発光素子の素子特性の向上をはかる。【解決手段】 単結晶基板上にGaN系化合物半導体層を積層してなる半導体発光素子において、単結晶SiC基板101上に、AlNバッファ層103と、AlNよりも格子定数の大きいGaN格子歪み緩和層105を順に積層し、さらにGaN格子歪み緩和層105上にAlNよりも格子定数が大きくGaNよりも格子定数が小さいn型AlGaNコンタクト層107を積層した層構造を有し、かつGaN格子歪み緩和層105膜厚を0.01μmから0.5μmの間に設定した。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上にGaN系化合物半導体層を積層してなる半導体発光素子において、前記単結晶基板上に、AlN,AlGaN,又はSiCからなりバッファ層として機能する第1の半導体層と、この第1の半導体層よりも格子定数の大きいGaN,GaInN,又はAlGaNからなり格子歪み緩和層として機能する第2の半導体層とを順に積層し、第2の半導体層上に第1の半導体層よりも格子定数が大きく第2の半導体層よりも格子定数が小さいAlGaN又はAlGaInNからなり素子形成層として機能する第3の半導体層を積層した層構造を有し、かつ第2の半導体層の膜厚を0.01μmから0.5μmの間に設定してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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