特許

J-GLOBAL ID：200903011228029847

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 山川 博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232092
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 ポリイミド樹脂膜に亀裂が生じることを防止する。【解決手段】 ポリイミド樹脂膜14にスルーホール16を形成した段階で、スルーホール16の内側も含め、ポリイミド樹脂膜14の表面を酸素プラズマに曝し、ポリイミド樹脂膜14の表面部を硬化させて硬化膜層18を形成する。その後、表面全体にバリアメタル膜24およびパッド電極金蔵膜12を形成し、スルーホール16の上部にのみフォトレジスト膜を形成し、バリアメタル膜24およびパッド電極金属膜22をエッチングする。つづいて、酸素プラズマアッシングによりフォトレジスト膜を除去するが、その際、露出したポリイミド樹脂膜14の表面部には硬化膜層18が形成されているので、さらに硬化することはなく、スルーホール16の内外でポリイミド樹脂膜14の表面部に硬度差は生じない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にポリイミド樹脂膜を形成するポリイミド樹脂膜形成ステップと、前記ポリイミド樹脂膜上の特定領域にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成ステップと、酸素プラズマアッシングにより前記フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去ステップとを含む半導体装置の製造方法において、前記フォトレジスト膜形成ステップの前に、前記ポリイミド樹脂膜の表面部を硬化させるポリイミド樹脂硬化ステップを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/60 311 Z ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/90 S

Fターム (46件)：

4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104EE18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004EA03 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK09 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033NN03 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX17 ,  5F044QQ01 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC07 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158916   出願人：住友電気工業株式会社
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116756   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-278851
  
• 特開平1-144632