特許

J-GLOBAL ID：200903011267322390

欠陥データ解析方法および検査装置並びにレビューシステム

発明者： 渋谷 久恵 ,  高木 裕治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292786
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059984
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の製造工程において、検査装置によって検出された欠陥データに基づいて欠陥分布状態解析を行い、装置あるいはプロセス起因の不良原因の特定を容易にする。【解決手段】検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。

請求項（抜粋）：

基板上に回路パターンを形成する工程デ処理された被処理基板を検査して得られた欠陥の位置座標に基づいて、前記欠陥の分布特徴カテゴリを、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちの少なくとも何れか1種類のカテゴリに分類することを特徴とする欠陥データ解析方法。

FI (3件)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 P

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106CA42 ,  4M106CA50 ,  4M106DA15 ,  4M106DB21 ,  4M106DH03 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135195   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• 異常原因特定システムおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019537   出願人：株式会社日立製作所