特許
J-GLOBAL ID：200903011268352900
配線基板の導体層形成工程の検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163739
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353865
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 導体層形成工程における電気的不良の原因究明が可能な配線基板の導体層形成工程の検査方法。【解決手段】 テスト絶縁層12,13上に、断線テスト部21A,22A、チエックパッド21B,21B2,22B1,22B2、小型化長径部21C,22C、短絡テスト部21D,22D、並行小型化長尺部21E,22Cを有する第1テスト配線層21及び第2テスト配線層22を含むテスト導体層23を形成し、チエッパッド間の導通を調べ、断線不良、短絡不良及び絶縁不良の有無を検知する。電気的不良品及びその不良部位を容易に発見することができるので、電気的不良の原因究明やその対策の効果の評価が容易にでき、テストエッチングレジスト層を除去せずに残すことで、電気的不良の原因をより容易に判別できる。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去し、細く長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検知する断線検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
IPC (3件)：
H05K 3/00
, G01N 27/04
, G01R 31/02
H05K 3/00 T
, G01N 27/04 Z
, G01R 31/02
2G014AA02
, 2G014AA03
, 2G014AA13
, 2G014AA15
, 2G014AB59
, 2G014AC09
, 2G060AA09
, 2G060AE01
, 2G060AF09
, 2G060EB03
, 2G060EB05
, 2G060EB09
