半導体集積回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-203521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040393
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】外部電源電圧からヒューズによるトリミング回路を使用して参照電位を調整し、この調整された参照電位に基づいて内部電圧を発生する半導体集積回路において、ヒューズを切った状態そのものをモニタして所望の参照電位を発生させ、かつ、ヒューズ切断後に参照電位を調整して動作を行わせることができなかった。【解決手段】ヒューズの切断状態を制御して参照電位の調整を行う第1の参照電位調整手段と、該ヒューズの切断状態に関わらず当該ヒューズの切断状態を疑似的に作り出して前記参照電位の調整を行う第2の参照電位調整手段とを具備するように構成する。

請求項（抜粋）：

外部入力される電源電圧からヒューズによるトリミング回路を使用して参照電位を調整し、該調整された参照電位に基づいて内部電圧を発生する半導体集積回路であって、前記ヒューズの切断状態を制御して前記参照電位の調整を行う第1の参照電位調整手段と、該ヒューズの切断状態に関わらず当該ヒューズの切断状態を疑似的に作り出して前記参照電位の調整を行う第2の参照電位調整手段とを具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 29/00 671 , G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 29/00 671 F , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 371 A

Fターム (13件)：

5B024AA04 , 5B024AA15 , 5B024BA27 , 5B024CA07 , 5B024DA08 , 5B024EA09 , 5L106AA01 , 5L106DD36 , 5L106EE06 , 5L106EE08 , 5L106FF01 , 5L106GG05 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-102300
半導体メモリ装置、マイクロコントローラ及び半導体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-201535 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその試験装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-309576 出願人：三菱電機株式会社

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