特許
J-GLOBAL ID：200903011358324018

トンネル磁気抵抗効果素子

発明者：
島沢 幸司

島沢 幸司 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164590
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 信号磁界に対してフリー層の磁化回転動作の安定性に優れる新規なバイアス磁界印加構造を備えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 トンネルバリア層30と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層20と強磁性ピンド層40が積層されたトンネル多層膜3を有するトンネル磁気抵抗効果素子1であって、前記強磁性ピンド層の磁化をピンニングするためのピン止め層50が、前記強磁性ピンド層のトンネルバリア層と接する側と反対の面に積層されており、前記強磁性フリー層のトンネルバリア層と接する側と反対の面に、バイアス磁界印加層10が形成されており、当該バイアス磁界印加層が、非磁性貴金属層11と反強磁性層15の積層体であり、非磁性貴金属層を介して前記強磁性フリー層と反強磁性層とが磁気交換結合して前記強磁性フリー層にバイアス磁界が印加できるように構成する。
請求項（抜粋）：
トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性ピンド層の磁化をピンニングするためのピン止め層が、前記強磁性ピンド層のトンネルバリア層と接する側と反対の面に積層されており、前記強磁性フリー層のトンネルバリア層と接する側と反対の面に、バイアス磁界印加層が形成されており、当該バイアス磁界印加層が、非磁性貴金属層と反強磁性層の積層体であり、非磁性貴金属層を介して前記強磁性フリー層と反強磁性層とが磁気交換結合して前記強磁性フリー層にバイアス磁界が印加できるようになっていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R
Fターム (17件)：
2G017AA10 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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