半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237650
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083976
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のスクライブライン切断時の、チップのクラック現象やダイシングずれを防ぐ事を目的とする。【解決手段】チップ1間のスクライブライン2内に、逆3角形の溝をダイシングライン用溝3として、ウエハ基板上に作り込む。具体的には、まず、ウエハ基板上にトランジスターを形成する以前にレジスト塗布を行ない、その後、フォト工程によるダイシングライン用溝のパターニングを行なう。次に、レジスト除去を行ない、その後エッチング技術にてダイシングライン用溝を形成する。また、ダイシングライン用溝3の大きさは、ブレードの刃が入り込める大きさとして、幅は50〜70μm。深さは、ウエハ厚が400μmの製品の場合、150〜250μm(ウエハが割れないレベルとして、ウエハ厚の約半分が適当である)。

請求項（抜粋）：

半導体装置のスクライブラインとなる領域の半導体基板に、溝を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/78 L , H01L 21/302 Z , H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-175240
特開平4-067650
半導体チツプ及びウエハのダイシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-300296 出願人：川崎製鉄株式会社

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