特許

J-GLOBAL ID：200903011384786194

データバックアップ方式

発明者： 粟田 幸作 ,  半田 利光 ,  大澤 孝基 ,  出口 聡美 ,  宮本 典幸 ,  濱野 奈美男 ,  山端 哲
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： ▲高▼須 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158701
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353241
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 データバックアップ方式に関し、消去とデータ書込動作とからなる不揮発性メモリ媒体(フラッシュEEPROM等)を使用して入力データのバックアップを効率良くかつ確実に行えることを課題とする。【解決手段】 同一種別のデータAに対するデータA書込領域を複数のメモリ媒体1,2上に夫々設け、同一種別のデータAにつき、あるメモリ媒体1の記憶データAを消去する際には他のメモリ媒体2に対して入力データAの書き込みを行う。また、複数のメモリ媒体1,2の運用状況を記録管理可能な管理データ記憶領域を前記複数のメモリ媒体1,2上に夫々設け、あるメモリ媒体1の管理データ記憶領域を消去する前に、該管理データ記憶領域の最新の管理データを他のメモリ媒体2の管理データ記憶領域にコピーして前記複数のメモリ媒体1,2についての運用状況の管理を継続する。

請求項（抜粋）：

消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体を使用したデータバックアップ方式において、同一種別のデータに対するデータ書込領域を複数の不揮発性メモリ媒体上に夫々設けると共に、同一種別のデータにつき、ある不揮発性メモリ媒体の記憶データを消去する際には他の不揮発性メモリ媒体に対して入力データの書き込みを行うことを特徴とするデータバックアップ方式。

IPC (2件)：

G06F 12/16 310 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

G06F 12/16 310 M ,  G11C 17/00 601 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

• EEPROMデータ書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293408   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性メモリのデ-タ保護方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193017   出願人：神鋼電機株式会社
• メモリ制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309335   出願人：松下電器産業株式会社
• フラッシュメモリデータ保護装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096630   出願人：甲府日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• EEPROMデータ書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293408   出願人：三菱電機株式会社