特許

J-GLOBAL ID：200903011399613873

成膜前処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 摂 ,  青木 淳一 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319868
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163195
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】配線層等が形成された被堆積基板上に熱CVD法によりシリコン含有絶縁膜等を形成する際の成膜前処理方法に関し、成膜する前の被堆積基板表面が著しく汚染されているときでも、被堆積基板表面をより清浄にして、表面汚染による成膜の際の表面依存性を抑制する。【解決手段】被堆積基板101上に絶縁膜を堆積する前に、ガス状のH2 Oをプラズマ化し、該プラズマに被堆積基板101の表面を曝す。

請求項（抜粋）：

被堆積基板上に絶縁膜を堆積する前に、ガス状のH2 Oをプラズマ化し、該プラズマに前記被堆積基板の表面を曝すことを特徴とする成膜前処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013998   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭58-042239
  
• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028925   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176491   出願人：ソニー株式会社