特許

J-GLOBAL ID：200903011401681369

一軸磁気異方性膜

発明者： 大沼 繁弘 ,  三谷 誠司 ,  藤森 啓安 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082522
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、適度な大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有した、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、一般式(Co1-aFea)100-X-YMXOYで示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、XおよびYは原子%で8<X<12,27<Y<37で、且つ 36 請求項（抜粋）：

一般式(Co1-aFea)100-X-YMXOYで示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、XおよびYは原子%で8<X<12,27<Y<37で、且つ36 IPC (3件)：

H01F 10/16 ,  C22C 45/04 ,  H01F 19/00

FI (3件)：

H01F 10/16 ,  C22C 45/04 D ,  H01F 19/00 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-062806
  
• 磁性薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224438   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166406   出願人：ティーディーケイ株式会社, 宮崎照宣
• 特開平4-062806
  
• 特開平4-062806