特許
J-GLOBAL ID：200903011401681369
一軸磁気異方性膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082522
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、適度な大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有した、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、一般式(Co1-aFea)<SB>100-X-Y</SB>M<SB>X</SB>O<SB>Y</SB>で示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、<SB>X</SB>および<SB>Y</SB>は原子%で8<<SB>X</SB><12,27<<SB>Y</SB><37で、且つ 36<x+y<48である組成と少量の不純物(at.%)からなり、異方性磁界が50Oe以上100Oe以下で、飽和磁束密度が8kG以上で、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下であることを特徴とする一軸磁気異方性膜に関するものである。
請求項（抜粋）：
一般式(Co1-aFea)<SB>100-X-Y</SB>M<SB>X</SB>O<SB>Y</SB>で示され、MはAl,Dy,Er,Gd,Hf,Li,Mg,Nd,Sc,Sr,Tm,Y,YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、その組成比aはa<0.3、<SB>X</SB>および<SB>Y</SB>は原子%で8<<SB>X</SB><12,27<<SB>Y</SB><37で、且つ36<x+y<48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100 Oe以下、電気比抵抗値300μΩcm以上1500μΩcm以下および飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性膜。
IPC (3件)：
H01F 10/16
, C22C 45/04
, H01F 19/00
H01F 10/16
, C22C 45/04 D
, H01F 19/00 Z
