特許

J-GLOBAL ID：200903011416576529

スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド

発明者： 長谷川 直也
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357826
公開番号（公開出願番号）：特開2002-163810
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 狭トラック化に対応し出力特性の向上と再生波形の安定性(stability)の向上と磁歪のコントロールとを図ったスピンバルブ型薄膜素子を提供する。【解決手段】 基板上10に、反強磁性層11と、この反強磁性層11と接して形成され磁化方向が固定される固定磁性層12と、固定磁性層12に非磁性導電層13を介して形成され、固定磁性層12の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリー磁性層14と、フリー磁性層14の磁化方向を揃えるためのハードバイアス層17と、固定磁性層12,非磁性導電層13,フリー磁性層14付近に検出電流を与える一対の電極層18とを有し、磁気再生トラック幅方向寸法Twが0.4μm以下に設定され、フリー磁性層14の磁歪λsが、-7.0×10-6≦λs≦2.0×10-5の範囲に設定されてなる。

請求項（抜粋）：

基板上に、反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層,前記非磁性導電層,前記フリー磁性層付近に検出電流を与える一対の電極層とを有する素子であって、磁気再生トラック幅方向寸法Twが0.4μm以下に設定されるとともに、前記フリー磁性層の磁歪λsが、-7.0×10-6≦λs≦2.0×10-5の範囲に設定されてなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (15件)：

2G017AA10 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BB02 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピンバルブ型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド 並びに磁気ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087111   出願人：日本電気株式会社
• スピンバルブ型薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335647   出願人：アルプス電気株式会社