特許
J-GLOBAL ID：200903011422641901

プラズマ処理方法及びその装置

発明者：
寒川 誠二

寒川 誠二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181125
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 基板表面への電荷蓄積によるデバイスへのダメージを抑制し、かつ高速・異方性エッチングを両立して行うプラズマ処理方法を提供する。【構成】 放電用の高周波電界を10〜100μ秒でパルス変調してプラズマを生成し、プラズマ中の基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加する。【効果】 通常の連続プラズマ放電中では正イオンの10%未満程度の負イオンが生成され、負イオンはアフターグロープラズマ中では正イオンと同程度まで上昇する。この時定数である10〜100μ秒程度のパルス変調プラズマでは負イオンの生成効率が連続放電に比べ圧倒的に大きい。この時600kHz以下のRF電界を印加すると質量の重いイオンも十分追従して加速され、基板表面に正イオン・負イオンが半周期ずつ入射する。従って電荷蓄積が抑制され、正イオンだけでなく負イオンもエッチングに寄与でき、エッチング速度が高められる。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室内で高周波によって発生する電場を利用して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うプラズマ処理方法において、放電用高周波電界を10〜100μ秒の範囲でパルス変調するとともに、該プラズマ中に設置された基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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