特許
J-GLOBAL ID：200903011445000580

光記録媒体及びその製造方法

発明者：
八代 徹

八代 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308507
公開番号（公開出願番号）：特開平9-123603
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：
【要約】【課題】 信号特性に優れ、再生エラーが発生しにくいフタロシアニン化合物を光吸収層に用いた高耐光性光記録媒体並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 光吸収層がフタロシアニン環のα位にオキシ(若しくはチオ)フェニル系基及びチオフェニル系基を有する特定の金属フタロシアニン系化合物を主成分としてなる光記録媒体、並びに基体上に光吸収層を塗布成膜手段により形成させ、且つその上に光反射層を真空成膜手段により形成させるその製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも光吸収層を設けてなる光記録媒体において、該光吸収層が下記一般式(I)で表わされる金属フタロシアニン系化合物を主成分として構成されていることを特徴とする光記録媒体。【化1】(式中、M及びA1〜A8は、それぞれ以下のものを表わす。M:2価の金属原子、置換3価金属原子、2置換4価金属原子又はオキシ金属。A1とA2、A3とA4、A5とA6及びA7とA8:それぞれのどちらか一方は下記一般式(II)で表わされるオキシ(若しくはチオ)フェニル系基又は下記一般式(III)で表わされるチオフェニル系基、他方は水素原子又はハロゲン原子。但し、A1〜A8のうち少なくとも一つは下記一般式(II)で表わされるオキシ(若しくはチオ)フェニル系基及び下記一般式(III)で表わされるチオフェニル系基である。一般式(II):【化2】一般式(III):【化3】Q:O又はS原子。R1〜R5:少なくとも一つはC数4〜10の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、他はそれぞれ独立にC数1〜10の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、C数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。R6〜R10:それぞれ独立にC数1〜10の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、C数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。)
IPC (2件)：
B41M 5/26 ,  G11B 7/24 516
FI (2件)：
B41M 5/26 Y ,  G11B 7/24 516
引用特許：
出願人引用 (17件)
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