特許

J-GLOBAL ID：200903011449707483

放熱基板及びその製造方法

発明者： 有川 正 ,  市田 晃 ,  土井 良彦 ,  町田 武男 ,  村田 力
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社 ,  株式会社放電精密加工研究所
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223632
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体パッケージに最適な特性を備えたキャビティ等に用いられる放熱基板とその製造方法と、それを用いた半導体パッケージを提供すること。【解決手段】 半導体パッケージの素子又は部品を搭載する金属基板において、キャビティ1は、銅(Cu)粉とモリブデン粉(Mo)を充分均一に混合した粉末を成形、焼結またはモリブデン圧粉体に銅を溶融・含浸、及び圧延により厚み1mm以下に加工したCu-Mo複合板材をさらに、凹(キャビティ)型に加工したものからなる。この凹型複合板材の凹部1a底面の表面粗度は、Ra≦0.2μmである。

請求項（抜粋）：

半導体パッケージの素子又は部品を搭載する金属基板において、銅(Cu)粉とモリブデン粉(Mo)を充分均一に混合した粉末を成形、焼結またはモリブデン圧粉体に銅を溶融・含浸、及び圧延により厚み1mm以下に加工したCu-Mo複合板材をさらに、凹(キャビティ)型に加工したものからなり,この凹型複合板材の凹部底面の表面粗度は、Ra≦0.2μmであることを特徴とする放熱基板。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/34

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/34 A

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• セラミックパッケージ及び放熱基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-184629   出願人：東京タングステン株式会社
• 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057306   出願人：東京タングステン株式会社
• 放熱基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210269   出願人：東京タングステン株式会社