特許
J-GLOBAL ID：200903014973817767
セラミックパッケージ及び放熱基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184629
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051172
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 セラミックパッケージに適した熱伝導率及び熱膨張係数を有すると共に、加工性に優れ、且つ、安価な異形形状を有する放熱基板を提案する。【構成】 銅が40wt%となるようにモリブデン粉と十分混合し、プレス成形後、水素中で1250°C×2時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ1.2mmと2.3mmの板材を作製した。熱放熱基板としての熱特性は、密度9.6g/cm3 、熱伝導率237w/m・k、熱膨張係数9.1×10-6/°Cを得た。この後、ニッケルめっきを施し、セラミックパッケージの中の部品として組み立てた。図は、中央に凸部4を形成し、ここに半導体チップ5を搭載する形式の異形放熱基板1を示す。
請求項（抜粋）：
半導体装置を搭載するのに使用されるセラミックパッケージにおいて、銅及びモリブデンの粉末を混合し、焼結し、圧延して形成され、200w/m・k以上の熱伝導率、9〜16×10-6/°Cの熱膨張係数を備え、且つ、異形形状に加工された放熱基板を具備していることを特徴とするセラミックパッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/373
, H01L 23/12
, H01L 23/15
H01L 23/36 M
, H01L 23/12 J
, H01L 23/14 C
