特許
J-GLOBAL ID：200903011466911345
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-231094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071932
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】プラグの酸化を抑制し、特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】下地絶縁膜15と、下地絶縁膜上に形成され、下部電極21と、上部電極23と、上部電極と下部電極との間に設けられた誘電体膜22とを有するキャパシタと、下地絶縁膜を貫通し、下部電極に接続されたプラグ16と、キャパシタ及び下地絶縁膜を覆い、下地絶縁膜よりも酸素の透過性が低い酸素バリア膜41とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に形成され、下部電極と、上部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられた誘電体膜とを有するキャパシタと、
前記下地絶縁膜を貫通し、前記下部電極に接続されたプラグと、
前記キャパシタ及び前記下地絶縁膜を覆い、前記下地絶縁膜よりも酸素の透過性が低い酸素バリア膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
