特許
J-GLOBAL ID：200903011479610999
CVD処理チャンバ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312652
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227859
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 物質の堆積における不均一性や汚染ないし可能性としての汚染に寄与する因子を取り除く。【解決手段】 基板上方に360 ゚円形ガス/真空散布を与えるプロセスチャンバが提供される。基板は加熱冷却機能を有するペデスタル組立体上に支持される。基板は、チャンバの真空環境の外のRF電力サプライに接続されるガス散布フェイスプレートと対向する。プロセスチャンバ内部面上の表面堆積の程度を観察する装置読み出しを証明し確認するためにポンピングチャンネルビューポートが具備される。処理中にプラズマが存在する領域内に面するチャンバ壁全てがセラミックとなっているので、高い腐食性が与えられる。陽極処理されない金属製のペデスタルが、ペデスタルのウエハ支持面とウエハの同心性を維持するための位置決め具を有するセラミックにより緩くフィットして覆われている。
請求項（抜粋）：
内部の基板処理配置で基板を処理するための真空処理チャンバと、前記基板処理配置で基板を支持する基板支持体と、前記基板処理配置に向かってプロセスガスの向きを与えるための、前記基板支持体と対向し略平行なガス散布フェイスプレートとを備え、前記チャンバは、前記基板処理配置に隣接し包囲する内部チャンバ面を有し、前記内部チャンバ面内の1つ以上の開口は前記チャンバ壁内の真空ダクトと流通し、前記ダクトは前記基板処理配置を略包囲し、前記真空ダクトは真空システムに接続され、前記1つ以上の開口は前記基板処理配置で支持される基板の中心軸の外縁の360の周囲に均等に分配され、前記1つ以上の開口のそれぞれを介した流れのチョーク領域は、前記基板の前記中心軸から略均等に分配される装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
