特許
J-GLOBAL ID：200903011484715065
半導体製造装置及びこの装置を用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115972
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】パターン表面に供給あるいは置換させる反応材料の到達効率や排出効率を向上できる半導体製造装置を提供することを目的としている。【構成】ウェハ室10内に設けたサセプタホルダ12と天板13とを駆動手段28によって相対的に移動せしめることにより、サセプタホルダ12と天板13との距離を周期的に変化させる。そして、サセプタホルダ12と天板13とが離合するときに供給手段14,15,16からプロセスチャンバー10内に薬液を供給し、サセプタホルダ12と天板13とが接近するときに排出手段17,18でウェハ室10内の薬液を排出することを特徴とする。天板がサセプタホルダから離合する方向に移動しているときにはウェハ室内に負圧が発生し、ウェハ表面への薬液の供給が促進される。これに対し、天板がサセプタホルダに接近する方向に移動しているときにはウェハ室内に与圧が発生し、薬液の排出を増速する。
請求項（抜粋）：
ウェハが載置されるサセプタホルダと、このサセプタホルダに対向して設けられる天板と、上記サセプタホルダ及び天板が収容されるプロセスチャンバーと、上記サセプタホルダと天板とを相対的に移動せしめ、サセプタホルダと天板との距離を周期的に変化させる駆動手段と、上記サセプタホルダと天板とが離合するときにプロセスチャンバー内に反応材料を供給する供給手段と、上記サセプタホルダと天板とが接近するときにプロセスチャンバー内の反応材料を排出する排出手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
, H01L 21/306
