特許

J-GLOBAL ID：200903011536575208

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者： 早川 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218362
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 電界効果移動度が高く、かつ特性のばらつきの小さい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース、ドレイン領域となる第1の結晶質半導体層17上に、所定の形状にパターニングされた第2の非晶質半導体層を形成する。連続発振レーザー光の照射領域21をチャネル長方向に沿って走査しながら照射することにより、第2の非晶質半導体層を結晶化して、第2の結晶質半導体層22を形成する。第1の非晶質半導体層17はニッケルを選択的に添加して結晶化されているため、{111}の配向率が高くなっている。レーザー光を照射することにより、この{111}配向した第1の非晶質半導体層結晶質17を種として、第2の非晶質半導体層が結晶成長するため、チャネル形成領域となる領域22aもまた{111}配向が高く、かつ結晶粒界の方向がチャネル長方向に平行になる。

請求項（抜粋）：

2つの第1の結晶質半導体層と、前記2つの第1の結晶質半導体層の上に接して設けられた第2の結晶質半導体層とが積層された半導体を備えた薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域は、それぞれ、前記第1結晶質半導体層と第2の結晶質半導体層とが積層した部分に設けられ、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記第2の結晶質半導体層が前記第1の結晶質半導体層と重ならない部分に設けられており、前記チャネル形成領域は、{001}{101}および{111}の結晶面のうち、{111}の割合が最も高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (130件)：

2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA33 ,  2H092JA46 ,  2H092JB66 ,  2H092KA02 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KA19 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092RA05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA22 ,  5F052GB04 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK37 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305531   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305531   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置および半導体の作製方法および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128920   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152305   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-084773