半導体装置および半導体の作製方法および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128920
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321466
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】単結晶珪素を用いたものと同等の特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】ガラス基板101上に下地膜102を形成し、その上に非晶質珪素膜103を形成する。ここで、ニッケル膜104を形成し、加熱を行いニッケル元素の作用によって、非晶質珪素膜103を結晶化させる。その後パターニングを行い種結晶106、107を形成する。さらに種結晶を覆って非晶質珪素膜108を成膜し、加熱処理により当該種結晶からの結晶成長を行わす。こうして、単結晶に匹敵する領域を種結晶の周囲に形成することができる。そして、この領域を活性層として薄膜トランジスタを構成することで、単結晶珪素を利用した場合と同等な特性を有する薄膜トランジスタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に第1の半導体膜を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第1の半導体膜を結晶化させる工程と、前記第1の半導体膜に対してパターニングを施すことにより、種結晶となる領域を形成する工程と、エッチングを施すことにより前記種結晶において所定の結晶面を選択的に残存させる工程と、前記種結晶を覆って第2の半導体膜を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第2の半導体膜において前記種結晶からの結晶成長を行わす工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-349619
ポリシリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302672 出願人：カシオ計算機株式会社
電子銃の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-039053 出願人：新日本製鐵株式会社

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