特許

J-GLOBAL ID：200903047994467150

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152305
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191628
出願日： 1998年05月16日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 結晶化に利用した触媒元素を効果的に除去し、優れた電気特性を有するTFTを実現させ、そのTFTでもって高性能な半導体装置を提供する。【解決手段】 珪素の結晶化を助長する触媒元素を利用して横成長領域107を形成した後、加熱処理によりリン添加領域108に触媒元素をゲッタリングする。その後、形成した活性層110〜112を覆ってゲイト絶縁膜113を形成し、その状態で熱酸化工程を行う。こうすることで活性層表面における金属酸化物の異常成長を防ぎつつ、活性層/ゲイト絶縁膜の界面特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜上の一部の領域または全面に対して当該半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、第1の加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜の一部の領域または全面を結晶性半導体膜に変成させる工程と、前記結晶性半導体膜中に15族から選ばれた元素を選択的に添加する工程と、第2の加熱処理を行い、前記15族から選ばれた元素が添加された領域に、当該領域に隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングさせる工程と、前記結晶性半導体膜をパターニングして活性層を形成する工程と、前記活性層を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の形成後に酸化性雰囲気中で加熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128921   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-216608   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097478   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所