特許

J-GLOBAL ID：200903011545403487

半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置

発明者： 笠原 哲一郎
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383582
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184926
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 プリモールド型パッケージにおいて、前めっきタイプの製品と同等の比較的低い製造コストで、後めっきタイプの製品と同等の高い気密性をもたせることを目的とする。【解決手段】 ダイパッド部12及びリード部13を有するリードフレーム11を形成し、このリードフレーム11の表面に、少なくとも、導電性に優れた導体層16と、樹脂との密着性に優れた導体層17とを含む多層構造の導体層14を形成した後、導体層14が形成されたリードフレーム11を樹脂18で被覆すると共に、樹脂18から、ダイパッド部12の上面及びリード部13先端部の上面が露出するように半導体素子搭載用の凹部RPを形成し、更に、樹脂18で被覆されていないリードフレーム部分の導体層17を除去して導体層16を露出させる(導体層14a)。

請求項（抜粋）：

ダイパッド部及びリード部を有するリードフレームを形成する工程と、該リードフレームの表面に、少なくとも、導電性に優れた材料からなる第1の導体層と、該第1の導体層の表面に形成され、樹脂との密着性に優れた材料からなる第2の導体層とを含む多層構造の導体層を形成する工程と、該多層構造の導体層が形成されたリードフレームの所要部分を樹脂で被覆すると共に、該樹脂から、前記ダイパッド部の上面及びリード部先端部の上面が露出するように半導体素子搭載用の凹部を形成する工程と、前記樹脂で被覆されていないリードフレーム部分の前記第2の導体層を除去して前記第1の導体層を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/50 ,  C25D 5/12 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/08

FI (5件)：

H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 G ,  C25D 5/12 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/08 A

Fターム (16件)：

4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024DB10 ,  4K024GA14 ,  4K024GA16 ,  5F067DC11 ,  5F067DC19 ,  5F067EA01 ,  5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体パッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-192171   出願人：ソニー株式会社
• リードフレームの表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-099178   出願人：ソニー株式会社