特許

J-GLOBAL ID：200903011570734579

量子箱の製造方法

発明者： 吉田 勝 ,  真鍋 由雄 ,  棚橋 一郎 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099212
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310428
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 製造が容易であり、サイズの小さな量子箱の製造方法を提供する。【構成】 GaAs半導体基板13上にZnS0.05Se0.95バッファー層を結晶成長した後、膜厚8nm のZn0.75Cd0.25S0.05Se0.95ウエル層12と膜厚20nmのZnS0.05Se0.95バリア層11を交互に10層ずつ成長させ、成長後の薄膜の上部に金の金属微粒子13をスパッタリングにより付着させ、次いで、金属微粒子13をマスクとして薄膜を水素ガスで希釈したエタンガスを用いた反応性イオンエッチングにより前記多層薄膜をエッチングして量子箱を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバリア層-ウエル層-バリア層の各層をエピタキシャル結晶成長して薄膜を形成する工程と、成長後の薄膜の上部に金属微粒子を付着させる工程と、前記金属微粒子をマスクとして前記薄膜をエッチングする工程とを備えたことを特徴とする量子箱の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/302 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-084787
  
• 金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236487   出願人：富士通株式会社
• パターン形式方法および薄膜磁気ヘツド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-154365   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭53-080167