特許

J-GLOBAL ID：200903011594499082

光電変換モジュールおよびそれを用いた光発電装置

発明者： 坂井 久
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145213
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324090
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】 電気的接続の信頼性を向上させるとともに入射光の利用率を向上させることによって、光電変換モジュールの信頼性および発電効率を向上させること。 【解決手段】 光電変換モジュール2は、第1の導電層11領域は導電性基板の一主面の封止層18よりも外側に延在する第1の延在部が形成されているとともに、第2の導電層16領域は支持基板17の一主面の封止層18よりも外側に延在する第2の延在部が形成されており、隣り合う第1および第2の導電層11,16領域の第1および第2の延在部が導電性接続体20を介して電気的に接続されているものであり、複数の光電変換装置1の間に導電性ペーストの隔壁や封止剤、接続電極がないので、電極間抵抗を小さくするとともに、受光面積の損失を抑制することができる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

複数の第1の導電層領域および該各第1の導電層領域上に形成されるとともに光電変換を行なう光励起体が表面に多数付着した多孔質半導体層領域を一主面に有する一方の電極として機能する導電性基板と、複数の第2の導電層領域および該各第2の導電層領域上に形成された他方の電極層領域を一主面に有する支持基板とが、それらの間に電解質が介在するとともに前記多孔質半導体層領域と前記他方の電極層領域とが対向するようにして配置され、前記導電性基板および前記支持基板の外周部が封止層で封止されて成る光電変換モジュールであって、前記第1の導電層領域は前記導電性基板の前記一主面の前記封止層よりも外側に延在する第1の延在部が形成されているとともに、前記第2の導電層領域は前記支持基板の前記一主面の前記封止層よりも外側に延在する第2の延在部が形成されており、隣り合う第1および第2の導電層領域の前記第1および第2の延在部が導電性接続体を介して電気的に接続されていることを特徴とする光電変換モジュール。

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  H01M 2/22 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01M14/00 P ,  H01M2/22 Z ,  H01L31/04 Z

Fターム (18件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS10 ,  5H032AS16 ,  5H032CC09 ,  5H032HH05 ,  5H043AA05 ,  5H043AA07 ,  5H043BA26 ,  5H043CA08 ,  5H043CA13 ,  5H043EA02 ,  5H043KA01E ,  5H043KA13E ,  5H043KA36E ,  5H043KA37E ,  5H043KA38E

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光電変換素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-107672   出願人：東陶機器株式会社
• 光電変換素子モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-278065   出願人：日立マクセル株式会社