半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320114
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150646
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】低誘電率な有機絶縁膜に形成された接続孔では、有機絶縁膜自体から接続孔内部に放出される脱離ガスによって、金属の埋め込み不良等の問題があり、その問題を解決することが求められていた。【解決手段】配線1を覆う状態に設けられた層間絶縁膜4は少なくとも有機絶縁膜2を有するものからなり、この層間絶縁膜4には配線1に達する接続孔5が設けられていて、この接続孔5の側壁には有機絶縁膜2からの脱ガスを遮断する脱ガス防止絶縁膜6が形成されている半導体装置である。

請求項（抜粋）：

少なくとも有機絶縁膜を有するもので配線を覆う状態に設けた層間絶縁膜と、前記配線に接続するもので前記層間絶縁膜に設けた接続孔と、前記有機絶縁膜からの脱ガスを遮断するもので前記接続孔の側壁に形成した脱ガス防止絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/283 , H01L 21/31 , H01L 21/312

FI (4件)：

H01L 21/90 S , H01L 21/283 C , H01L 21/31 A , H01L 21/312 B

Fターム (99件)：

4M104BB18 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104EE01 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF16 , 4M104FF21 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN01 , 5F033PP15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT06 , 5F033TT07 , 5F033WW03 , 5F033XX12 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB39 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE23 , 5F045BB07 , 5F045CB05 , 5F045CB10 , 5F045DC51 , 5F045EB20 , 5F045HA06 , 5F045HA13 , 5F058AA04 , 5F058AC02 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG04 , 5F058AH02 , 5F058BA07 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH12 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269414 出願人：山形日本電気株式会社
特開昭63-188959
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-023592 出願人：山形日本電気株式会社

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