特許
J-GLOBAL ID:200903011627699805
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-203563
公開番号(公開出願番号):特開平9-051018
出願日: 1995年08月09日
公開日(公表日): 1997年02月18日
要約:
【要約】【課題】 多端子で微細な接続間隔を有する半導体素子を半導体素子と同等の面積で樹脂基板に接続でき、小型・薄型・軽量の半導体装置を生産性よく得ること。半導体素子を異方性導電接着剤を用いて基板に電気的に接続する場合に、異方性導電接着剤中の導電性粒子を均一に押しつぶすことにより安定した導通を得ること。【解決手段】 半導体素子1の突起電極2と接続される基板3の電極4の幅を突起電極2の幅より小さく形成することにより、突起電極2と電極4との間で導電性粒子が均一に押しつぶされ、安定した導通が得られる。その際、基板3に凹部19が生ずる程度に突起電極2を押し込むと、それにより基板3の表面の凹凸を吸収してどの接続箇所においても良好な導通が得られる。
請求項(抜粋):
電極および配線が形成された基板と、この基板上に配置され、接着剤中に導電性粒子を混入し圧力が加えられた方向に導通する異方性導電接着剤と、前記電極より幅広に形成され前記異方性導電接着剤を介して前記電極と導通する突起電極を持つ半導体素子とを備えた半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311
, H01L 23/14
FI (2件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/14 R
引用特許:
審査官引用 (8件)
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半導体素子実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-231924
出願人:シヤープ株式会社
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特開昭63-276259
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-210569
出願人:トヨタ自動車株式会社
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特開平4-223348
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-019279
出願人:株式会社東芝
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特開平3-290936
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特開平2-034951
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特開昭63-160352
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