特許
J-GLOBAL ID：200903011633594527

磁気再生ヘッドおよびその形成方法

発明者：
成宗 洪

成宗 洪 について

, 
茹瑛 童

茹瑛 童 について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001746
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260205
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 再生特性の向上と短絡の防止とを両立させることが可能な磁気再生ヘッドおよびその形成方法を提供する。【解決手段】 絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも5倍の絶縁材料よりなる下部高絶縁破壊電圧層28を含んで下部絶縁層30を構成すると共に、同様の絶縁材料よりなる上部高絶縁破壊電圧層54を含んで上部絶縁層33を構成する。下部絶縁層30および上部絶縁層33の耐絶縁破壊性が向上するため、絶縁破壊を生じさせることなく下部絶縁層30や上部絶縁層33の厚みを薄くすることにより、シールド間隔K2を狭小化することが可能となる。これにより、下部絶縁層30および上部絶縁層33の耐絶縁破壊性の向上に基づいて短絡が防止されると共に、シールド間隔K2の狭小化に基づいて再生特性が向上する。
請求項（抜粋）：
第1の磁気シールド層上に、8.0nm以上11.0nm以下の厚みとなるように第1の酸化アルミニウム(Al2 O3 )層を形成する工程と、この第1の酸化アルミニウム層上に、絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも5倍の絶縁材料を用いて4.0nm以上6.0nm以下の厚みとなるように第1の高絶縁破壊電圧層を形成することにより、前記第1の酸化アルミニウム層と前記第1の高絶縁破壊電圧層とがこの順に積層されてなる第1の絶縁層を、全体の厚みが15.0nm以下となるように構成する工程と、この第1の絶縁層上に、フリー層を最上層とするスピンバルブ構造体を形成する工程と、このスピンバルブ構造体上に、絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも5倍の絶縁材料を用いて4.0nm以上6.0nm以下の厚みとなるように第2の高絶縁破壊電圧層を形成する工程と、この第2の高絶縁破壊電圧層上に、8.0nm以上12.0nm以下の厚みとなるように第2の酸化アルミニウム層を形成することにより、前記第2の高絶縁破壊電圧層と前記第2の酸化アルミニウム層とがこの順に積層されてなる第2の絶縁層を、全体の厚みが14.0nm以上16.0nm以下となるように構成する工程と、この第2の絶縁層上に、前記第1の磁気シールド層との間の間隔が70.0nm以下となるように第2の磁気シールド層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気再生ヘッドの形成方法。
IPC (4件)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32
FI (4件)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32
Fターム (9件)：
5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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