特許

J-GLOBAL ID：200903011654391510

導電性酸化物およびそれを用いた電極

発明者： 折田 政寛 ,  竹内 恵 ,  坂井 裕之 ,  丹治 宏彰
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280505
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133728
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】 吸収端が450nmより短波長側にあって、かつITOと同等かそれ以上の電気伝導率を有するために、ITO膜より大きな膜厚としても着色を生じない新規な材料の提供、及び上記の新たな材料を用いた、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ及び太陽電池等に有用な電極の提供。【構成】 一般式In2 Snx O3+2x-d(ただし、xは1.2以上、2.0未満の範囲であり、dは0以上、1以下の範囲である)で表される導電性酸化物。一般式In2 Snx O3+2x-d(ただし、xは1.2以上、2.0以下の範囲であり、dは0以上、1以下の範囲である)で表され、InおよびSnの少なくとも一つの元素の一部がInおよびSn以外の元素と置換され、Inと置換される元素は原子価が3価以上の元素であり、Snと置換される元素は原子価が4価以上の元素である導電性酸化物。透明基板の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に前記の導電性酸化物が含まれる層を有する電極。

請求項（抜粋）：

一般式In2 Snx O3+2x-d(ただし、xは1.2以上、2.0未満の範囲であり、dは0以上、1以下の範囲である)で表されることを特徴とする導電性酸化物。

IPC (5件)：

C01G 19/00 ,  G09G 3/12 ,  G09G 3/18 ,  H01B 1/08 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-328827   出願人：日本曹達株式会社
• 特開昭59-213623
  
• ITO焼結体、ターゲット、蒸着用ペレット、それらを用いて形成した膜および表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334036   出願人：株式会社東芝